Свойства полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.
Учебные материалы


Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом.



Карта сайта lekspravka.ru

а) выходные; б) входная;

в) стокозатворная.

Основные параметры полевых транзисторов.

1). Крутизна характеристики

2). Крутизна характеристики по

подложке

3). Начальный ток стока Ic нач – ток стока при нулевом напряжении UЗИ; у транзисторов с управляющим p-n-переходом Iс нач = 0,2 – 600 мА; с технологически встроенным каналом Iс нач = 0,1 – 100 мА; с индуцированным каналом Iс нач = 0,01 –

0,5 мкА.

4). Напряжение отсечки UЗИ отс (UЗИ отс = 0,2 – 10 В).

5). Пороговое напряжение UЗИ пор (UЗИ пор = 1 – 6 В).

6). Сопротивление сток – исток в открытом состоянии Rси отк (Rси отк = 2 – 300 Ом).

7). Постоянный ток стока Ic max Ic max от 10 мА до 0,7 А).

8). Остаточный ток стока Ic ост – ток стока при напряжении UЗИ отс Ic ост = 0,001 – 10 мА).

9). Максимальная частота усиления fp – частота, на которой коэффициент усиления по мощности Кур равен единице (fp – десятки - сотни МГц).


Полевые транзисторы с изолированным затвором со встроенным и с индуцированным каналом. МДП, МОП, МНОП- транзисторы. Структура, принцип работы. Стокозатворные и выходные характеристики. Основные параметры

МДП-транзисторы

(металл-диэлектрик-полупроводник)могут быть двух типов:транзисторы совстроенными каналами (канал создается при изготовлении) и транзисторы с индуцированными каналами (канал возникает под действием напряжения, приложенного к управляющим электродам).

Транзисторы первого типа могут работать как в режиме обеднения канала носителями заряда, так и в режиме обогащения. Транзисторы второго типа можно использовать только в режиме обогащения. У МДП-транзисторов в отличие от транзисторов с управляющим р-n-переходом металлический затвор изолирован от полупроводника слоем диэлектрика и имеется дополнительный вывод от кристалла, на котором выполнен прибор (рис.1), называемый подложкой.

а –планарный транзистор синдуцированным каналом;

б –планарный транзистор со встроеннымканалом.



edu 2018 год. Все права принадлежат их авторам! Главная